Siliziumkarbid-Leistungskomponenten 2024
Den Marktforschern von TrendForce zufolge soll der Umsatz mit SiC-Halbleitern in diesem Jahr die Marke von einer Milliarde US-Dollar überschreiten. Bis neue Generationen von Halbleitern mit größeren Bandlücken (Wide Band Gap WBG), wie beispielsweise Siliziumkarbid SiC, das Potenzial haben, das Elektroauto auf die Überholspur zu bringen. Sie sind klein, leistungsstark und äußerst effizient: Halbleiter aus Siliziumkarbid steigern die Leistungselektronik in Batterien und Sensoren. Laut einem Marktbericht von YoleDevelopment wird der Markt für Siliziumkarbid-Leistungskomponenten im 3. Jahr 3 Milliarden US-Dollar wert sein, Siliziumkarbid ermöglicht die Produktion von kleineren, leistungsstärkeren und energieeffizienteren Geräten im Vergleich zu herkömmlichen Materialien wie Silizium; Siliziumkarbid-Schottky-Dioden zeichnen sich durch eine hohe Sperrspannung und eine extrem geringe Sperrverzögerungszeit, besser gesagt kapazitive Speicherlade- und damit Entladezeit, aus. Damit sind sie ideal für alle Anwendungen geeignet, bei denen hohe Spannungen mit hohen Frequenzen geschaltet werden. Der Forschungsbericht berücksichtigt die Größe des globalen Marktes für Siliziumkarbid für Halbleiteranwendungen und die Prognose. Der Marktwert lag unter. Siliziumkarbid SiC, ein seit langem bekanntes Material mit Potenzial für Hochtemperatur-, Hochleistungs-, Hochfrequenz- und strahlungsgehärtete Anwendungen, hat sich als der ausgereifteste Halbleiter mit großer Bandlücke 2 herausgestellt. ≲ E g ≲ 7. seit Freisetzung von H-SiC-Massensubstraten H-SiC-Substrate, Mehrere kritische Materialprobleme in Fusionsreaktoren können durch keramische Komponenten gelöst werden. Eine der Kandidatenkeramiken für Anwendungen im Ersten. Glazy ist eine Gemeinschaftsleistung. Fotos werden von Leuten wie Ihnen hochgeladen. Wenn Sie dieses Rezept testen, denken Sie bitte über das Hinzufügen eines Fotos nach Beansprucht wird die Herstellung eines einkristallinen Siliziumkarbidsubstrats durch chemische Gasphasenabscheidung.